氮化镓（GaN）功率器件凭借高临界击穿场强、高电子迁移率与低导通电阻等材料优势，正在快速渗透至消费电子快充、数据中心电源、光伏逆变器与新能源汽车车载充电等中高压高频应用场景。然而，器件在长期偏置应力