在功率半导体器件的可靠性评价体系中，MOS管高低温循环测试阈值电压漂移是衡量器件封装完整性、界面态稳定性以及长期工作寿命的核心技术指标之一。随着新能源汽车、光伏逆变器、工业伺服驱动等应用场景对功率器